图书介绍

VLSI器件的计算机辅助设计及其应用【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

（美）钱（Cham，K.M.）等著；吉利久等译著
出版社：北京：电子工业出版社
ISBN：7505304577
出版时间：1989
标注页数：141页
文件大小：7MB
文件页数：145页
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图书目录

概述1

目录1

第一部分：模拟系统6

第一章数值模拟系统介绍6

1.1工艺和器件数值模拟的历史6

1.2数值模拟系统的实现7

第二章工艺模拟10

2.1简介10

2.2 SUPREM：一维工艺模拟软件11

2.3 SUPRA：二维工艺模拟软件19

2.4 SOAP：二维氧化模拟软件25

第三章器件模拟29

3.1 GEMINI：二维泊松方程的求解软件29

3.2 CADDET：二维单一载流子器件模拟软件36

3.3 SIFCOD：形状通用的二维两种载流子器件模拟软件42

4.2 FCAP2的输入和流程图49

第四章FCAP2：寄生电容／电阻模拟软件49

4.1简介49

4.3实例50

第二部分：应用和实例研究52

第五章用于发展工艺和器件的计算机辅助设计方法52

5.1器件模拟的方法52

5.2实例研究的概述54

第六章新工艺开发中的模拟技术基础55

6.1 工艺开发中的器件物理基础55

6.2 用于器件参数模拟的CAD工具58

6.3产生器件基本参数的方法61

6.4器件特性与工艺参数之间的关系63

第七章短沟道晶体管中的漏感应势垒降低效应67

第八章亚微米CMOS工艺的晶体管设计72

8.1 亚微米CMOS工艺简介72

8.2 采用模拟技术研究亚微米p沟道MOSFET74

8.3 n沟道晶体管的模拟81

8.4小结83

第九章沟槽隔离CMOS中的表面反型问题84

9.1 对CMOS中沟槽隔离的简介84

9.2模拟技术85

9.3反型问题的分析86

9.4模拟结果的总结89

9.5实验结果90

9.6小结91

第十章在VLSI中采用的隔离结构的发展92

10.1 隔离结构简介92

10.2硅的局部氧化（LOCOS）93

10.3 改进的LOCOS工艺95

10.4 侧壁掩蔽隔离（SWAMI）96

10.5 小结99

11.1 亚微米MOS器件中的高电场问题100

第十一章用二维模拟研究轻掺杂漏区器件结构100

11.2 LDD器件的研究101

11.3小结108

第十二章使用CADDET模拟MOSFET按比例缩小110

12.1 简介110

12.2增强型MOSFET的按比例缩小110

12.3耗尽型MOSFET的按比例缩小114

12.4结论117

13.1 简介119

第十三章VLSI工艺开发中的寄生参量提取119

13.2模拟技术120

13.3 用SUPRA模拟扩散电容125

13.4 寄生电阻的FCAP2模拟125

13.5 实验与模拟的比较126

13.6 小结126

符号表127

主要参考书目131